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《微電子學雜志》2016年第一期
摘要:
在傳統的電荷泵中,通常將更多的設計重點放在電荷泵的升壓效率問題上。但是,在低電壓工藝中,過高的電壓會讓MOS管處于被擊穿的危險之中,同時,開關管的導通電阻隨電源電壓的變化很明顯。針對上述問題,提出了一種具有輸出限壓功能的電荷泵。采用0.5μmUMC工藝,利用Cadence和Hspice軟件進行電路設計與仿真。結果表明,當電源電壓在2.7~5.5V范圍內變化時,電荷泵的輸出電壓可控制在一定范圍內,并且開關管的導通電阻變化很小。
關鍵詞:
USB電源管理系統;電荷泵電路;輸出限壓;低壓工藝;導通電阻
1引言
隨著電子信息技術的蓬勃發展,計算機硬件有了飛速的發展,外圍設備日益增多,各種便攜式電子產品得到了普及,如MP3、照相機、手機等。傳統的接口在應用過程中受到了限制。USB接口具有體積小、接口規范統一、支持熱插拔等優點,被廣泛應用于計算機接口中[1-3],而USB電源管理系統作為USB接口的重要組成部分,受到越來越多的關注。電荷泵是一種升壓裝置,利用高頻振蕩器使電荷在電容處積累,產生高壓(高于電源電壓),其特點是體積小、電路結構簡單、無需電感、不存在電磁噪聲,被廣泛應用于存儲器、傳感器電源驅動電路網絡、開關電源等電路中[4]。在傳統設計中,設計師們把更多的注意力放在了電荷泵的升壓效率上,但在一些低壓工藝中,電荷泵過高的輸出電壓會使MOS管處于被擊穿的危險之中,有必要將電荷泵的輸出電壓控制在一定范圍內。本文提出了一種具有輸出限壓功能的電荷泵,該電路采用UMC0.5μm低壓工藝,利用Cadence和Hspice進行仿真。結果顯示,當電源電壓在2.7~5.5V范圍內變化時,能夠將電荷泵的輸出電壓控制在一定范圍內,保證了開關管的柵源電壓穩定,使得該開關管的導通電阻變化很小,適用于低壓工藝。
2電荷泵電路架構
2.1USB電源管理系統簡易架構圖1所示為USB電源管理系統的簡易架構圖[5]。時鐘信號clk由芯片內部振蕩器電路產生,并作為輸入信號提供給電荷泵。電荷泵的工作原理是利用電容兩端電壓不能發生突變的特性,產生比電源電壓Vin更高的電壓Vhv,高電壓Vhv為源極驅動及控制電路供電,從而為開關管的柵極提供驅動電壓,使得開關管導通,得到輸出Vout。在傳統的USB電源管理系統中,高壓Vhv隨著電荷泵級數的增多而增大。最早的理想電荷泵模型是由J.Dickson提出的,通過電容對電荷的積累效應產生高壓[6],如圖2所示。在Dickson電荷泵中[7],C1~Cn為充電電容,且容值相等;clk1和clk2是幅度為VIN的互不交疊時鐘信號;Cs是寄生電容,Cout是負載電容。Dickson電荷泵借助極性相反的驅動信號對電容進行充放電,將電源和前一級的電荷不斷灌入下一級中,從而在最后一級得到需要的高壓。當電源電壓在低壓2.7~5.5V變化時,Dickson電荷泵的輸出電壓會有較大波動。為了在電源電壓較低時仍能得到較高的柵極驅動電壓,需要增加電荷泵的級數,但這會使得在電源電壓較高時,電荷泵的輸出電壓Vhv會更大。過高的Vhv在低壓工藝下會超出MOS管的耐壓范圍,使得MOS管有被擊穿的危險。為了克服傳統Dickson電荷泵的這些問題,本文提出了一種具有輸出限壓功能的電荷泵電路。
2.2電荷泵電路的原理分析圖3所示為本文提出的電荷泵,由兩部分組成,2倍升壓部分和輸出及電壓控制部分。圖中,clk1和clk2為互不交疊的時鐘信號;M11,M12,M1,M2,M3,M4為NMOS管,其他均為PMOS管;Ibias為芯片內部基準產生的基準電流。在上述電荷泵電路中,若要使得該輸出電壓在工藝承受范圍之內,可以調節PMOS管M7和M8的電流I1和I0,以及電阻R的大小;若要得到一定的開關管導通電阻,需要增加NMOS的個數,這必然會增加芯片的面積。因此,在進行設計時,要綜合考慮工藝與面積,得到最佳的設計結果。
3實際電路仿真
本文基于0.5μmUMC工藝,采用Cadence和Hspice進行仿真。首先設置輸入端fclk1與fclk2的頻率為2MHz,I1和I0的電流值為1μA,電阻R的值為4MΩ,然后進行電路仿真。圖4所示為本文設計的電荷泵在去掉控制部分(并將電容C2的G端接clk2)和沒有去掉控制部分這兩種情況下輸出電壓的變化曲線。由圖可知,當溫度為25℃,電源電壓在2.7~5.5V變化時,沒有控制部分的電荷泵的輸出電壓變化范圍為6.8~14.8V,而有控制部分的電荷泵的輸出電壓變化范圍為6.65~9.59V。由此可知,本文提出的電荷泵能夠將輸出電壓控制在一定范圍內,不會使MOS管有被擊穿的危險。表1所示為本文提出的電荷泵在電源電壓Vin分別為2.7,3.3,4,5和5.5V時,電荷泵的輸出電壓Vhv以及開關管的柵源電壓Vgs的值。可以看出,當電源電壓在2.7~5.5V變化時,開關管的柵源電壓變化很小,電荷泵輸出電壓在(Vin+4)V左右。圖5所示為本文提出的電荷泵在電源電壓分別為2.7,3.3,4及5.5V時,開關管的導通電阻變化情況。仿真結果顯示,當電壓在2.7~5.5V變化時,導通電阻的變化非常小,其變化率只有千分之幾,主要原因是由于MOS管存在體效應。當電源電壓一定、溫度范圍為-40℃~125℃時,電荷泵的輸出電壓隨溫度變化的曲線如圖6所示。由圖可知,當電源電壓為2.7V時,電荷泵的輸出電壓變化范圍為6.4~6.67V;當電源電壓為5.5V時,電荷泵的輸出電壓變化范圍為9.51~10.02V。當電源電壓分別為2.7,5及5.5V時,電荷泵輸出電壓最大變化為0.5V。可以看出,當電源電壓發生變化時,電荷泵的輸出電壓變化非常小,導通電阻的變化也非常小,符合設計要求。
4結束語
本文簡單分析了USB電源管理系統的架構,并針對低壓工藝下電荷泵輸出電壓過高會使MOS管有擊穿危險的問題,提出了一種具有輸出限壓功能的電荷泵。該電荷泵結構新穎,邏輯簡單易懂。使用Cadence和Hspice軟件進行電路仿真,結果顯示,該電路的電源電壓在2.7~5.5V變化時,電荷泵的輸出電壓被限定在一定范圍內,使得開關管的柵源電壓變化很小,導通電阻隨電源電壓變化也很小,完全滿足電路的設計要求。
作者:范建功 馮全源 單位:西南交通大學 微電子研究所